先进封装战事正酣：一文看懂2.5D/3D封装路线与中国头部玩家
在半导体制造中，先进封装，Advanced Packaging，是提升芯片性能、缩小体积、降低功耗和提高集成度的关键技术。
📌主流的先进封装类型：
2D 封装
这是传统封装方式，所有的芯片都平铺在基板上，通过基板布线互连。 代表技术：MCM（Multi-Chip Module，多芯片模块）。 特点：集成密度低、互连长度长、信号延迟久。 2.5D 封装
2.5D封装是在2D基础上引入了中介层（Interposer），实现了芯片间的高密度互连。 跟2D封装一样，所有芯片处于同一水平面（XY平面），但通过中介层布线来连接。 典型技术：台积电的 CoWoS、英特尔的 EMIB、三星的 I-Cube。 3D 封装
在3D封装中，芯片采用垂直堆叠的方式，通过TSV（硅通孔）实现层与层之间电气连接。 是真正的立体集成，显著缩短了互连距离。 典型应用：HBM（高带宽内存）堆栈、3D Cache（例如 AMD 的 3D V-Cache）。 3.5D 封装（不是正式的术语）
混合使用 2.5D 和 3D 技术，例如：逻辑芯片（CPU/GPU）采用 2.5D 放置在中介层上，HBM 内存采用 3D 堆叠。 混合使用在实际工程中经常见到，但不是一种正式的分类。
2.5D 和 3D 封装的主要区别
| 2.5D 封装 | 3D 封装 | |
|---|---|---|
| 结构 | ||
| 互连方式 | ||
| 是否用 TSV | ||
| 集成密度 | 很高（体积最小） | |
| 互连延迟 | 最低（物理距离最短） | |
| 功耗 | 最低 | |
| 散热难度 | 困难（热量集中在堆叠区域） | |
| 工艺复杂度 | 高（TSV 制造、减薄、对准、键合等） | |
| 成本 | 比2D高（良率挑战大） | |
| 典型应用 |
✅ 2.5D 封装是当前主流
原因：技术相对成熟，产品良率比较高；
可以有效的集成异构芯片（如 CPU/GPU + HBM）；
平衡了性能、成本和散热的关系；
广泛用于 AI 加速器、高端 GPU、数据中心芯片。
典型应用：
NVIDIA H100 / Blackwell（CoWoS）
AMD MI300 系列（CoWoS + 3D V-Cache）
Intel Ponte Vecchio（EMIB + Foveros）
📌 市场数据：据 The Business Research Company提供的数据，2023年2.5D/3D封装市场规模达到486亿美元，预计2028年将达到816.7亿美元，其中2.5D占据比较大的份额。
下一步发展的方向：
🔮 3D 封装（特别是混合键合型）是未来发展的重点
驱动力：AI/ML 对内存带宽和能效的庞大需求；
“存储墙”（Memory Wall）问题亟需通过近存计算来解决；
Chiplet 架构推动了高密度垂直集成。
关键技术突破：
Hybrid Bonding（混合键合）：实现微米级互连间距（<10μm），连接密度可达每平方毫米数万，甚至百万级；
Die-to-Wafer / Wafer-to-Wafer 键合；
热管理和应力控制技术的进步。
代表趋势：
AMD 的 3D V-Cache（SRAM 堆叠在 CPU 上）；
苹果、高通探索 3D SoC；
台积电 SoIC（System on Integrated Chips）平台；
英特尔 Foveros Direct。
💡 注意：3.5D（2.5D + 3D 混合）是过渡形态，已经在高端产品中普及，但是从长期来看，纯3D、异构3D集成才是终极方向。
📌中国的2.5D/3D封装头部企业有哪些？
中国的2.5D/3D封装市场正处于快速发展和追赶的阶段，头部企业积极布局，目标是突破国际巨头的垄断，特别是在AI和高性能计算（HPC）领域。
核心企业包括：
长电科技 (JCET)
长电科技是中国最大的封测企业。 在中国先进封装市场，长电科技和通富微电、华天科技属于第一梯队。在国内2.5D/3D封装市场，份额领先，但整体仍然远远低于国际巨头。 线宽/线距可达 2μm，支持多层布线。 采用极窄节距凸块互联技术。 已实现量产，广泛应用于高性能计算和人工智能芯片。 技术平台：XDFOI™。这是一种面向Chiplet架构的超高密度、多扇出型封装技术，支持2D、2.5D和3D等多种集成方式。
细分领域：主要面向高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、网络通信等高端市场。
竞争对手
：台积电 (CoWoS)、三星、日月光 (ASE)、安靠 (Amkor)。 通富微电 (TFME)
高端封测业务（主要为AMD）贡献了主要收入。 是中国在高端CPU/GPU封测领域的领军企业，市场份额在国内非常高，但是全球的份额还无法跟台积电相比。 和AMD合作开发的3D堆叠技术已实现量产，是核心优势。 积极布局玻璃基板封装等下一代技术。 在Chiplet技术和HBM（高带宽内存）封装方面取得突破。 技术平台：VISionS。强调垂直集成和高密度互连，支持多芯片封装（MCP）和Chiplet架构。
细分领域：高性能计算（HPC）、图形处理器（GPU）、服务器芯片（主要为AMD代工）。
竞争对手：台积电 (CoWoS)、三星、英特尔 (Foveros)。
华天科技 (Hua Tian)
和长电、通富并列国内三巨头。 在汽车电子和消费类2.5D/3D封装市场有比较强的竞争力。 在汽车电子封装、2.5D封装方面有优势。 其eSinC®和3D FO SiP技术可实现高密度异质异构集成。 双面塑封BGA SIP、超高集成度uMCP等产品已量产。 技术平台：HMatrix 和 3D Matrix。涵盖RDL Interposer、Si Interposer、3D Stack和Cu-Cu键合等技术。
细分领域：汽车电子、消费电子、高性能计算。
竞争对手
：日月光 (ASE)、安靠 (Amkor)、台积电（在高端领域）。 盛合晶微 (SSMC)
通过超高的垂直铜柱互连，提供强大的3D集成功能。 具有高密度RDL和TIV特性。 在2.5D集成市场市占率“业内第一”，3D封装“业内领先”
，在特定中道工艺环节（如硅中介层制造）已达到国内领先、甚至是全球先进水平。 技术平台：3D SmartPoser™ 和 3DFO。专注于12英寸中段硅片制造，提供凸块、再布线、三维系统集成等服务。
细分领域：作为中道代工厂，服务于需要先进封装的IDM和OSAT。
竞争对手：台积电 (InFO, CoWoS中道)、英特尔 (中道工艺)。
其他重要的企业：
佰维存储
：布局“研发封测一体化”，掌握16层叠Die、超薄Die等工艺，2025年Q4投产，瞄准HBM和存算一体。 深科技
：国内最大的DRAM封测基地，具备16层堆叠技术的量产能力，将在HBM封装领域占据一席之地。 甬矽电子、锐杰微科技、芯德科技等企业：在积极布局2.5D/3D技术，但是，规模和量产能力还比不上前面的三家。
市场份额 (国内 vs. 国际)
| 总体格局 | 长电科技、通富微电、华天科技 | 台积电 (TSMC) |
| 高端市场 (AI/HPC) | 通富微电 | 台积电 |
| 技术代差 |
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