美国计划打垮中国内存制造企业长江存储
据路透社8月1日援引四名知情人士报导，美国政府正考虑以国家安全为理由，限制美国芯片制造设备向包括长江储存科技YMTC在内的中国大陆存储器芯片制造商出口，阻止中国大陆半导体产业发展、保护美国公司和国家安全利益。
继日前传出美国已对华禁售14nm及以下先进制程所需设备的消息之后。
如果美国政府确定采取该项禁止计划，除了损害中国企业利益，还会损害三星电子和SK 海力士两家韩国存储大厂的利益。
目前，三星在中国拥有两家大型的NAND Flash生产工厂，而SK 海力士之前也完成收购英特尔旗下在中国的NAND Flash制造业务。如果美国的限制计划获得通过，则美国芯片制造设备将被禁止运往在中国大陆境内的NAND Flash工厂。
该项计划将是美国首次利用出口管制来针对中国生产非专门军事用途的存储芯片。
目前，美国有西部数据与美光科技(Micron) 两家存储芯企业，这两家存储芯片产量合计占全球NAND Flash市场的份额超过25%，但是西部数据在美国本土没有NAND Flash产能，美光在美国本土也只有部分产能，所以限制计划也体现了美国的国家安全考量。
根据正在研拟的计划，美国将禁止向中国出口用于制造128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备。而目前生产该类芯片设备的美国大厂，就包括应用材料 Applied Materials和泛林集团LAM Research等厂商。
目前该计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。美国政府的重点是打击中国制造先进半导体的能力，以应对美国的重大国家安全风险。
长江储存成立于2016 年，是NAND Flash闪存制造领域的后起之秀。长江储存已成功量产128层NAND Flash，并正在积极的研发232层NAND Flash，最快可能今年年底量产。
长江储存约占全球NAND Flash闪存产量的5%，较一年前几乎翻倍成长。另外，美国西部数据约占13%，美光科技占比约11%。因此，未来一但美国禁止出口生产128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片的生产设备给长存，长江储存可能将因此而受困。
近几年，中国生产的内存芯片数量大幅提高。2022年中国NAND Flash闪存芯片的产量（含三星、SK海力士等在大陆的产量）从2019 年占全球产能不到14%，成长到2022 年的23% 以上，而同期美国的产量则从2.3%，下降至1.6%。而美国公司NAND Flash闪存芯片绝大部分的生产都是在海外完成的。
此前，长江储存已经在接受美国商务部调查，原因是怀疑公司向中国华为出售记忆体产品，违反了美国出口管制规定。
泛林集团、SK 海力士和美光拒绝就美国政策发表评论。三星、应用材料、长存、以及西部数据则还没有对相关消息做出回应。
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